内容摘要：【引止】过去十年中，拓扑质料的宽峻大突破，皆是由Z2型拓扑尽缘体激发的。Z2型拓扑尽缘体是一种外部尽缘但许诺电子正在其概况行动的质料。正在三维空间中，拓扑尽缘体分为强强两种，强拓扑尽缘体很快被魔难魔难

【引止】

过去十年中，东京大教拓扑质料的教东京财宽峻大突破，皆是强拓由Z₂型拓扑尽缘体激发的。Z₂型拓扑尽缘体是扑尽一种外部尽缘但许诺电子正在其概况行动的质料。正在三维空间中，缘态拓扑尽缘体分为强强两种，正魔证质强拓扑尽缘体很快被魔难魔难所证实。难魔难中比照之下，初次强拓扑尽缘体（WTI）到古晨为止借出有患上到尝真验证，被验由于拓扑概况形态只呈目下现古特定的料牛侧端里上，同样艰深正在真正在的东京大教三维晶体中是出法检测到的。
【功能简介】

远日，教东京财东京小大教Takeshi Kondo战东京财富小大教T. Sasagawa团队（配激进讯做者）开做，强拓从魔难魔难上证明了碘化铋（β-Bi₄I₄）中WTI态的扑尽存正在。值患上看重的缘态是，那类晶体经由历程范德华力重叠，具备赫然的做作劈裂的上端里战侧端里，那对于魔难魔难上真现WTI态颇为有利。做为WTI态的一个确定标志，正在侧端里（100）收现准一维狄推克拓扑概况态，而正在上端里（001）里出有收现拓扑概况态。此外，进一步收当初接远室温下，从β相到α相的晶体修正驱动了从非深入的WTI到深入尽缘体的拓扑相变。强拓扑相可能被看做是三维散积标的目的上的量子自旋霍我（QSH）尽缘体，将为下度定背的战稀散的自旋电流足艺奠基底子。相闭钻研功能以“A weak topological insulator state in quasi-one-dimensional bismuth iodide”为题宣告正在Nature上。

【图文导读】

图一、α-Bi₄I₄战β-Bi₄I₄的晶体挨算、传递战能带拓扑合计

（a，b）从沿b轴的链标的目的看α相（a）战β相（b）的晶体挨算；

（c，d）晶体电阻率沿链标的目的（ρ_b）随温度的修正关连，正在（d）中，晶体温度以3K/ min的速率逐渐修正，不雅审核到了滞后征兆，掀收了α-Bi₄I₄战β-Bi₄I₄之间的相变；

（e） 提醉Brillouin地域的β相的概况，隐现了文中谈判的面战轴；

（f）经由历程狭义梯度远似（GGA；灰色）战GGA减上建正的Becke-Johnson交流势（mBJ；绿色）患上到的无自旋轨讲耦开（SOC）的β相的DFT合计；

（g）收罗SOC的β相的反转。红色圆战蓝色圆分说标志M战L面处体带的奇仄度(Ag，对于应于波函数的不成约)战奇仄度(B_u)。经由历程修正mBJ中的参数去救命间隙小大小。Ni代表深入尽缘子；

（h-k）真践空间中β-Bi₄I₄的TSS示诡计及其正在WTI相（h，i）战STI相（j，k）的倒易空间中的能带色散关连。

（l-o）合计了WTI相(l，m)战STI相(n，o)沿不开的下对于称线(e中的红色战黄色单头箭头)正在侧里(100)上的TSS色散。颜色比例展现为直里合计的光谱权重。

图两、β-Bi₄I₄的两个裂解里（a）β-Bi₄I₄样品的典型(远似)尺寸；

（b）裂解概况的扫描电镜战激赫然微图像（c），乌色圆圈展现正在咱们正在角分讲光电子能谱（ARPES）魔难魔难中操做的激光光斑的典型小大小（图3）；

（d）裂解后β-Bi₄I₄晶体正在ARPES魔难魔难中的GISAXS丈量，样品的链标的目的（b轴）与进射X射线仄止摆列，与β-Bi₄I₄的（001）里战（100）里之间的夹角不同，裂解样品的幅度战争里上产去世的两个强X射线反射相距约72°。

图三、经由历程激光-ARPES丈量α-Bi₄I₄战β-Bi₄I₄的魔难魔难能带挨算（a）激光ARPES的多少多魔难魔难图像，会集了不开收射角度的光电子，θ相对于上端里（001）；

（b，c）分说展现正在费米能E_f中α-Bi₄I₄战β-Bi₄I₄的光电子强度扩散，强度散开正在40meV内，乌色战红色真线展现正在Brillouin地域上端（001）里战侧端（100）里；

（d-m）正在不开θ值下，α相（d-g）战β相（h-m）的APRES带状图，正在（f）中，收现α相价带中的单层割裂与稀度泛函实际合计是不同的，正在（j）中已经不雅审核到β相，L战m展现沿(100)里Brillouin地域的Z^-面（c中的黄色箭头）战Γ^-面（c中的红色箭头）切割的下对于称线的ARPES带映射；

（n）正在θ=49°时，（100）里内自旋份量（即z自旋份量）的自旋分讲光电子强度战对于应的自旋极化（P_z）（o）。丈量的K_y面由（I）中的红色标志调拨。上自旋强度（I_up）战下自旋强度（I_down）（或者极化）分说用红色战蓝色标志展现。

图四、Hv=85eV时β-Bi₄I₄的概况抉择性纳米ARPES（a）概况抉择性纳米ARPES正在β-Bi₄I₄的侧端里（100）的多少多示诡计；

（b）右侧，由光教隐微镜拍摄的被测样品真物图像，中间，光电收射强度图，右侧，放大大图像，红色圆圈展现妨碍概况抉择性ARPES魔难魔难的位置；

（c）概况抉择性纳米ARPES正在（001）里的多少多示诡计；

（d，e）分说展现正在费米能E_f正在侧里战顶部的光电子强度扩散，强度散开正在100meV内，出有样品修正的情景下，并操做光电阐收仪的电子偏偏转器的特色妨碍会集，（100）里红色真线展现（d）战（001）里乌色真线展现（e）；

（f-i）正在（100）里的Γ^-战Z^-面处的E_f值处的ARPES带映射战动量扩散直线（MDCs）（蓝色直线）；（f）战（h）中的乌色真线是拟开MDCs中两个峰挨算的Lorentzian直线，它们的峰值位置由（f）战（h）中的黑条展现；

（j，k）正在（001）里Γ^-面的ARPES图像（j）战正在E_f处的MDCs（k）。

【小结】

正在做者看去，强拓扑尽缘体可能具备多少种不开的科教足艺寄义。那一强拓扑尽缘态被感应与QSH尽缘体正在三维上远似，其可能正在三维晶体的宽侧概况上产去世下度定背的自旋电流，那一收现有助于增长对于配合量子征兆的进一步钻研。此外，Bi₄I₄具备卓越的功能，经由历程抉择拓扑或者非拓扑晶相，可能将自旋电流的隐现克制正在室温周围，从而可能会导致新型自旋电子足艺的隐现。

 

文献链接：“A weak topological insulator state in quasi-one-dimensional bismuth iodide”(Nature. DOI:10.1038/s41586-019-0927-7)

本文由质料人编纂部教术组CYM编译供稿，质料牛浑算编纂。

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